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| 所在地： | 直轄市 北京 |
| 有效期至： | 長(zhǎng)期有效 |
| 發(fā)布時(shí)間： | 2023-12-15 11:26 |
| 最后更新： | 2023-12-15 11:26 |
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隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展,移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備快速增長(zhǎng).FLASH芯片作為移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備中最常用的器件,得到了日趨廣泛的應(yīng)用,對(duì)FLASH芯片的測(cè)試要求也越來(lái)越高.本文介紹了FLASH存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)和測(cè)試原理,特別是詳細(xì)分析,研究了可應(yīng)用于FLASH芯片的測(cè)試算法,對(duì)算法進(jìn)行了部分改進(jìn)與綜合.測(cè)試實(shí)驗(yàn)表明,在與傳統(tǒng)的棋盤(pán)格測(cè)試方法相同的故障覆蓋率時(shí),本方法的測(cè)試效率更高。
