DDR3與DDR2的差異

      數(shù)據(jù)傳輸速率的差異是DDR3與DDR2=顯著的區(qū)別，這部分上文已有描述，我們來(lái)看看其他方面的不同。

      在供電方面，DDR3的工作電壓降低至1.5V，實(shí)際上JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定1.575V為DDR3的安全工作電壓。標(biāo)準(zhǔn)也規(guī)定內(nèi)存條所能經(jīng)受的安全供電電壓必須大于1.975V，當(dāng)然，在這個(gè)電壓下內(nèi)存條可能已經(jīng)不能正常工作但還不至于損壞。

         在芯片級(jí)DDR3引入了異步Reset信號(hào)，該信號(hào)主要提供兩方面的功能，其一是可以簡(jiǎn)化內(nèi)存芯片上電后的初始化過(guò)程，其二是當(dāng)內(nèi)存系統(tǒng)進(jìn)入一旦進(jìn)入未知或不可控狀態(tài)后可以直接Reset而無(wú)需掉電重啟。

        在接口方面，以普通的Un-Buffer內(nèi)存條為例，DDR3與DDR2均為240個(gè)pin腳，尺寸一致但防呆槽的位置不同，由于工作電壓不同二者在電氣特性上也是互不兼容的。

         在系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面DDR3與DDR2的區(qū)別在于DDR3將時(shí)鐘、地址及控制信號(hào)線(xiàn)的終端電阻從計(jì)算機(jī)主板移至內(nèi)存條上，這樣一來(lái)在主板上將不需要任何端接電阻。為了盡可能減小信號(hào)反射，在內(nèi)存條上包括時(shí)鐘線(xiàn)在內(nèi)的所有控制線(xiàn)均采用Fly-by拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。也是因?yàn)镕ly-by的走線(xiàn)結(jié)構(gòu)致使控制信號(hào)線(xiàn)到達(dá)每顆內(nèi)存顆粒的長(zhǎng)度不同從而導(dǎo)致信號(hào)到達(dá)時(shí)間不一致。這種情況將會(huì)影響內(nèi)存的讀寫(xiě)過(guò)程，例如在讀操作時(shí)，由于從內(nèi)存控制器發(fā)出的讀命令傳送到每顆內(nèi)存芯片的時(shí)間點(diǎn)不同，將導(dǎo)致每顆內(nèi)存芯片在不同的時(shí)間向控制器發(fā)送數(shù)據(jù)。為了消除這種影響，需要在對(duì)內(nèi)存進(jìn)行讀寫(xiě)等操作時(shí)對(duì)時(shí)間做補(bǔ)償，這部分工作將由內(nèi)存控制器完成。DDR3總線(xiàn)的系統(tǒng)框架如下圖所示，其中紅線(xiàn)代表DQ、DM以及差分DQS信號(hào)線(xiàn)，黑線(xiàn)代表時(shí)鐘、地址及控制信號(hào)線(xiàn)，T代表相應(yīng)的端接電阻。