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GAGG 閃爍晶體 帶刻度 毛坯拋光鍍膜均可定制 高??蒲袉?/h1>
GAGG: 閃爍晶體
尺寸: 帶刻度
加工參數(shù): 雙面拋光
單價: 面議
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨
所在地: 江蘇 南京
有效期至: 長期有效
發(fā)布時間: 2024-05-09 03:23
最后更新: 2024-05-09 03:23
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詳細說明

簡介:

鈰離子摻雜的釓鋁鎵石榴石晶體簡稱Ce:GAGG晶體,其化學式為Ce:Gd3Al2Ga3O12,該晶體具有密度高、透過率高、有效原子序數(shù)大、光產(chǎn)額高、衰減時間快、能量分辨率好、物化性能穩(wěn)定、無自輻射,無潮解,加工特性好等優(yōu)異的性能,其被認為是眾多氧化物閃爍晶體中最youxiu的晶體之一。

     Ce:GAGG晶體在540nm波段有較高的光輸出響應,使其與硅光電二極管能夠極好地匹配。該晶體可大尺寸生長,加工性能好,能夠加工最高128通道的陣列產(chǎn)品,最小像素支持0.3mm。

Ce:GAGG晶體良好的閃爍性能及物化特性,使其廣泛用于高能粒子探測、 核物理、 醫(yī)學成像、 安檢、 工業(yè)探測等領域。尤其是其快衰減特性及低余暉特性使得在PET影像系統(tǒng),人體、工業(yè)、無損檢測、安檢及X-CT等其他成像應用領域得到極為廣泛的使用。


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